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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3818
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@12V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13.5mΩ@8A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
阈值电压：1.2V@250µA
输入电容：4290pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）共漏
功率：2.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
阈值电压：1.2V@250µA
输入电容：4290pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）共漏
功率：2.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：250psc
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
阈值电压：1.2V@250µA
输入电容：4290pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）共漏
功率：2.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
