采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.45V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2191pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1995，"19+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFZ48Z
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@37A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17K
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：1600，"MI+"：800}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4500，"23+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.45V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2191pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4510TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@50V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@37A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1057pF@15V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1057pF@15V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4510TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@50V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@37A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.45V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2191pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP61N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1057pF@15V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS4510TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3180pF@50V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@37A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：357W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：61A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFZ48Z
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1720pF@25V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@37A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.45V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2191pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R45MT17D
工作温度：-55℃~175℃
功率：438W
阈值电压：2.7V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：182nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4523pF@1000V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@40A，15V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R045P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：201W
阈值电压：4V@1.08mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3891pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@22.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.45V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2191pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-60MLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：2.45V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2191pF@30V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R045P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：201W
阈值电压：4V@1.08mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3891pF@400V
连续漏极电流：61A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@22.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
