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    漏源电压
    集电集截止电流(Icbo)
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)
    行业应用: 工业
    ECCN: EAR99
    功率: 250mW
    当前匹配商品:2300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA143XT,215 起订17个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA143XT,215 起订17个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):100mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC114ET-QVL 起订19个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC114ET-QVL 起订19个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:230MHz

    功率:250mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA115TMB,315 起订13514个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA115TMB,315 起订13514个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"19+":79760}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@250µA,5mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:100kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:180MHz

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC124ET,235 起订15823个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC124ET,235 起订15823个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"19+":30000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMUN5111DW1T3G 起订10个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMUN5111DW1T3G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 300µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    电阻比:10千欧

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6Ω@115mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC144ETVL 起订16个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC144ETVL 起订16个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA124XT,215 起订17个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA124XT,215 起订17个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:22kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVJD5121NT1G-M06 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVJD5121NT1G-M06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@20V

    连续漏极电流:295mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5333DW1T1G 起订4773个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5333DW1T1G 起订4773个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"14+":12851,"22+":21000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA114TT,215 起订16个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA114TT,215 起订16个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):100nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON 数字晶体管 BCR129SH6327XTSA1 起订4571个装
    INFINEON 数字晶体管 BCR129SH6327XTSA1 起订4571个装

    品牌:INFINEON

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"14+":3000,"15+":57000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PBRP123ET,215 起订9个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PBRP123ET,215 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):750mV@6mA,600mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):180@300mA,5V

    集电极电流(Ic):600mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):40V

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA123TT,235 起订6646个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA123TT,235 起订6646个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"17+":9840}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA123TT,215 起订15823个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA123TT,215 起订15823个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"20+":84000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC144ET-QR 起订15823个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC144ET-QR 起订15823个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"22+":51000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:47kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:230MHz

    功率:250mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC123ET,215 起订17个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC123ET,215 起订17个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@20mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PBRP123ET,215 起订3000个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PBRP123ET,215 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):750mV@6mA,600mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):180@300mA,5V

    集电极电流(Ic):600mA

    输入电阻:2.2kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):40V

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA114ET,215 起订15823个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTA114ET,215 起订15823个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"19+":57000,"20+":90000,"21+":53900}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:PNP-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6Ω@115mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5130DW1T1G 起订10730个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5130DW1T1G 起订10730个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"22+":45000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:2个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5313DW1T1G 起订11个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5313DW1T1G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5338DW1T3G 起订9091个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5338DW1T3G 起订9091个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"20+":30000}

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):20@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:1个NPN,1个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MUN5115DW1T1G 起订4773个装
    onsemi 数字晶体管 MUN5115DW1T1G 起订4773个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"03+":12000,"12+":1666}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV @ 1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160 @ 5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10千欧

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01C-TB-E 起订1924个装
    onsemi Mosfet场效应管 3LP01C-TB-E 起订1924个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":165000,"12+":1000,"16+":9000,"18+":28421,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):3LP01C-TB-E

    工作温度:150℃

    功率:250mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.5pF@10V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10.4Ω@50mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON 数字晶体管 BCR133SH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON 数字晶体管 BCR133SH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:2个NPN-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD5110NT1G 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD5110NT1G 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZD5110NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:294mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC114ET-QVL 起订15823个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC114ET-QVL 起订15823个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    生产批次:{"21+":70000}

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    特征频率:230MHz

    功率:250mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON 数字晶体管 BCR185SH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON 数字晶体管 BCR185SH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):70@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:2个PNP-预偏置

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC114EM,315 起订11个装
    NEXPERIA 数字晶体管 PDTC114EM,315 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):150mV@500µA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):1µA

    包装方式:卷带(TR)

    ECCN:EAR99

    直流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:10kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:250mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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