采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV26，215
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
特征频率：220MHz
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：40V
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：180@300mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：750mV@6mA，600mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：600mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：230@300mA，5V
输入电阻：1kΩ
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：40V
功率：250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：750mV@6mA，600mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：600mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"19+"：98700，"20+"：10000}
输入电阻：1kΩ
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@40mA，5V
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@1.5mA，30mA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：130@300mA，5V
输入电阻：1kΩ
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：40V
功率：250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：750mV@6mA，600mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：600mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"22+"：12000}
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，5mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV46，215
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
特征频率：220MHz
晶体管类型：PNP
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
工作温度：150℃
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"19+"：79997}
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@1mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：100kΩ
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@250µA，5mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
功率：250mW
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：10kΩ
特征频率：180MHz
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：22kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
ECCN：EAR99
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：1kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
功率：250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电集截止电流(Icbo)：100nA
输入电阻：1kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
功率：250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：200@1mA，5V
功率：250mW
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70@50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
功率：250mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV@2.5mA，50mA
晶体管类型：NPN-预偏压
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
功率：250mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84，215
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：50V
工作温度：-65℃~150℃
阈值电压：2V@1mA
连续漏极电流：130mA
功率：250mW
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
输入电容：45pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：2.2kΩ
特征频率：170MHz
集射极击穿电压(Vceo)：80V
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"19+"：30000}
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：250mW
包装方式：卷带（TR）
输入电阻：22kΩ
ECCN：EAR99
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84，215
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：50V
工作温度：-65℃~150℃
阈值电压：2V@1mA
连续漏极电流：130mA
功率：250mW
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
输入电容：45pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：BCV47，215
晶体管类型：NPN
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA
功率：250mW
集电极电流(Ic)：500mA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
特征频率：220MHz
包装方式：卷带（TR）
集射极击穿电压(Vceo)：60V
工作温度：150℃
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
输入电阻：10kΩ
集电集截止电流(Icbo)：100nA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"18+"：30000，"19+"：60000}
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
功率：250mW
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80@5mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
ECCN：EAR99
输入电阻：47kΩ
功率：250mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V
晶体管类型：PNP-预偏压
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：62307}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV@500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
特征频率：230MHz
功率：250mW
输入电阻：4.7kΩ
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@10mA，5V
晶体管类型：NPN-预偏压
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
