采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：23452，"16+"：126}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP100，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：250pF@20V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：2500，"04+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMC1300R2
工作温度：-65℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@20V
连续漏极电流：2.2A€1.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：247125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHT4NQ10T，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：6.9W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：BiPOM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1142，"22+"：1651}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMUDM8005 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@16V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2240UDM-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：150mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601WK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005DLP4K-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：900mV@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：300mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，235
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：23452，"16+"：126}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP100，135
工作温度：-65℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：250pF@20V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005LPK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：440mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2240UDM-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：150mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601WK-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601DWKQ-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：305mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CMPDM7002AHC TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS7002A
工作温度：-65℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：280mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3030SN-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3030SN-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@400mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CEDM7001 TR PBFREE
工作温度：-65℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.57nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN601VKQ-7
工作温度：-65℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：305mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BST82，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@150mA，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
