采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD120AN15A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：2.8A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，4A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：8070.0
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：88A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10V，40A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS3590
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.18nF@40V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@6.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：701，"22+"：3610，"23+"：2632}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86256
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.3W€10W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@75V
连续漏极电流：1.2A€3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1pF@75V
导通电阻：695mΩ@10V，1.2A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86252
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@75V
连续漏极电流：5A€27A
类型：1个N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86255
功率：2.7W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10V，10A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N60CTM
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.7Ω@10V，950mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：395pF@75V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：128mΩ@2.8A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：9N40-220
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：607mΩ@10V，4.5A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150
功率：156W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.85mΩ@10V，16A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327
功率：1.8W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：1.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF990N65EC_T0_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：22.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA24N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：39W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.774nF@100V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP036N10A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7.295nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：16000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP10N20C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：72W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，4.75A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：12.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@10V，13A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPF50PBF
功率：190W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：6.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5N65F
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，2.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC86244
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：345pF@75V
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：144mΩ@2.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H1M7STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：6W€250W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：147nC@10V
输入电容：9.871nF@50V
连续漏极电流：250A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT105N10K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：1.574nF@50V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH84M1SPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：4.209nF@40V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z34N
功率：68W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：19A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@10V，10A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
