品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:395pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP50NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@22A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N50M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:395pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP50NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@22A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP50NF25
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@22A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.1pF@100V
导通电阻:420mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.1pF@100V
导通电阻:420mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF18N60M2
功率:25W
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:280mΩ@10V,6.5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.1pF@100V
导通电阻:420mΩ@10V,4A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB140NF55T4
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.3nF@25V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD140N6F7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:134W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.1nF@30V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:193pF@30V
导通电阻:3.1mΩ@10V,40A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD140N6F7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:134W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.1nF@30V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:193pF@30V
导通电阻:3.1mΩ@10V,40A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4F3
功率:110W
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
阈值电压:4V@250μA
输入电容:2.2nF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:54nC@10V
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10P6F6
阈值电压:4V@250μA
输入电容:340pF@48V
功率:35W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
栅极电荷:6.4nC@10V
类型:1个P沟道
漏源电压:60V
导通电阻:160mΩ@10V,5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140NF75
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10V,70A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: