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    行业应用: 工业
    阈值电压: 2.7V@250µA
    当前匹配商品:1300+
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN230ENEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:625mW€5.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD482 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD482 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD482

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@50V

    连续漏极电流:5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3604S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3604S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3604S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@15V

    连续漏极电流:13A€23A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2922 起订12个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2922 起订12个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2922

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€17W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@50V

    连续漏极电流:3.5A€7A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN120ENEAX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN120ENEAX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN120ENEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:670mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT560ENEAX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT560ENEAX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT560ENEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:112pF@50V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:715mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D125-60EX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D125-60EX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D125-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€15W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.7A€7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN20ENAX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN20ENAX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN20ENAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:652mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:582pF@20V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D210-60EX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D210-60EX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D210-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€15W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:2.1A€5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订16个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订16个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF2910L 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF2910L 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF2910L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€27W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB215ENEAX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB215ENEAX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB215ENEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€15.6W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@40V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订26个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订26个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:478mW€8.36W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEX 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEX 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN230ENEX

    工作温度:150℃

    功率:475mW€3.9W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3Q-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3Q-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6180SK3Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV120ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:513mW€6.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@30V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2544 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2544 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2544

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.2W€75W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@75V

    连续漏极电流:6.5A€23A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3669S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@15V

    连续漏极电流:13A€18A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:10mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV280ENEAR 起订26个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV280ENEAR 起订26个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV280ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:580mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@50V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D81-80EX 起订3226个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D81-80EX 起订3226个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":192000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D81-80EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€18.8W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:504pF@40V

    连续漏极电流:3.2A€9.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:81mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV164ENEAR 起订21个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV164ENEAR 起订21个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV164ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:640mW€5.8W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:218mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6180SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D385-100EX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D385-100EX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D385-100EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€15W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@50V

    连续漏极电流:1.4A€3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@1.5,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENER 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENER 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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