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    阈值电压: 2.4V@250µA
    包装方式: 卷带(TR)
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    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W€29W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:6.8A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30.4Ω@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC10A816N8TC 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC10A816N8TC 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC10A816N8TC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:497pF@50V€717pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:230mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC10A816N8TC 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC10A816N8TC 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC10A816N8TC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:497pF@50V€717pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:230mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC10A816N8TC 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC10A816N8TC 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC10A816N8TC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:497pF@50V€717pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:230mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3040pF@50V

    连续漏极电流:13.6A€51.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3040pF@50V

    连续漏极电流:13.6A€51.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W€29W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:6.8A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30.4Ω@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4294 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4294 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4294

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2420pF@50V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC10A816N8TC 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC10A816N8TC 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC10A816N8TC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:497pF@50V€717pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:230mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W€29W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:6.8A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30.4Ω@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W€29W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:6.8A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30.4Ω@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W€29W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:6.8A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30.4Ω@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W€29W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:6.8A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30.4Ω@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W€29W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:6.8A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30.4Ω@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4294 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4294 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4294

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2420pF@50V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH892BDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH892BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W€29W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:6.8A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:30.4Ω@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC10A816N8TC 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC10A816N8TC 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC10A816N8TC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:497pF@50V€717pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:230mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AO4294 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4294 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4294

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2420pF@50V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AO4294 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4294 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4294

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2420pF@50V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4294 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4294 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4294

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2420pF@50V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3040pF@50V

    连续漏极电流:13.6A€51.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454FDP-T1-RE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454FDP-T1-RE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7454FDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:7.2A€23.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454FDP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454FDP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7454FDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:7.2A€23.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454FDP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454FDP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7454FDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:7.2A€23.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454FDP-T1-RE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454FDP-T1-RE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7454FDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:7.2A€23.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC10A816N8TC 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC10A816N8TC 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC10A816N8TC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:497pF@50V€717pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:230mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC10A816N8TC 起订1250个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMC10A816N8TC 起订1250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMC10A816N8TC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:497pF@50V€717pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:230mΩ@1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454FDP-T1-RE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454FDP-T1-RE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7454FDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:7.2A€23.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454FDP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454FDP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7454FDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:26.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@50V

    连续漏极电流:7.2A€23.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:29.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3040pF@50V

    连续漏极电流:13.6A€51.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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