采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF830ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：74W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@3A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ40N50L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：540W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@20A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP150N10F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9000pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR872ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1286pF@75V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86320
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@40V
连续漏极电流：10.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@10.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3662
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@50V
连续漏极电流：8.9A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@8.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2325DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：530mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP48P05T
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3660pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@24A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR622DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1516pF@75V
连续漏极电流：64.6A€56.7A
类型：N沟道
导通电阻：17.7mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT14N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2297pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB100N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4369pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP100N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：208W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7300pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7680pF@30V
连续漏极电流：29A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS70DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：15.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@62.5V
连续漏极电流：8.5A€31A
类型：N沟道
导通电阻：29.8mΩ@8.5A，10V
漏源电压：125V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS039N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7600pF@40V
连续漏极电流：19.4A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7117DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€12.5W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：2.17A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP150N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8115pF@50V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@55A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7846DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF820ASPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR872ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1286pF@75V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP110N15T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：480W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@55A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2NB60CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：249pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90N06-6M0P-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€272W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4700pF@30V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86550
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：154nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11530pF@30V
连续漏极电流：32A€155A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
