采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP047N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15265pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：893}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI030N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP030N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP027N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP025N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：226nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14885pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP030N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP027N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP400N4F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：377nC@10V
包装方式：管件
输入电容：20000pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI030N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI030N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP039N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：133nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9450pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA032N08
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15160pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP027N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP025N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：226nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14885pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP030N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP030N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA032N08
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15160pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15160pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP025N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：226nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14885pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP027N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB024N08BL7
工作温度：-55℃~175℃
功率：246W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13530pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
