品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R145CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@340µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@6.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8027S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C05NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":514,"15+":500,"16+":6000,"17+":3218,"18+":19500,"19+":5500,"9999":350,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP50R299CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.5V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1190pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:299mΩ@6.6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1820pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP18N55M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1260pF@100V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@8A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R160CFD7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@400V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@6.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3672-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:7.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC53N06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@30V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8027S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N15NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3527,"20+":1494,"21+":9184}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:22A€102A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:22A€102A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8880
工作温度:-55℃~+175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.26nF@15V
连续漏极电流:13A€58A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@75V
连续漏极电流:36.8A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@15A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":11000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R520CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:630pF@100V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:3.9V@240µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC53N06Y-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@30V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBC30PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@2.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R125CFD7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@340µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@6.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C05NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€33W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:12A€75A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD18N65M5
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: