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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R145CFD7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R145CFD7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R145CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@340µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@400V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8027S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@15V

    连续漏极电流:18A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C05NTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C05NTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C05NTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:820mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:12A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD200N15N3GATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD200N15N3GATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD200N15N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD200N15N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C05NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C05NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C05NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:820mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:12A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N15NS3GATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N15NS3GATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC190N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2420pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R160CFD7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R160CFD7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R160CFD7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:95W

    阈值电压:4.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@400V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3672-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3672-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3672-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:7.2A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC53N06Y-TP 起订2个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC53N06Y-TP 起订2个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC53N06Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@30V

    连续漏极电流:53A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8027S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@15V

    连续漏极电流:18A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N15NS3GATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N15NS3GATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC190N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2420pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0312AS 起订624个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0312AS 起订624个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3527,"20+":1494,"21+":9184}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0312AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@15V

    连续漏极电流:18A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:22A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C05NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:22A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ494DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ494DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ494DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@75V

    连续漏极电流:36.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N80C3ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD04N80C3ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD04N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:3.9V@240µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC53N06Y-TP 起订6个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC53N06Y-TP 起订6个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC53N06Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@30V

    连续漏极电流:53A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R125CFD7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R125CFD7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R125CFD7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:127W

    阈值电压:4.5V@340µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@400V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C05NTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C05NTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C05NTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:820mW€33W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1988pF@15V

    连续漏极电流:12A€75A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD18N65M5 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD18N65M5 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD18N65M5

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N15NS3GATMA1 起订374个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC190N15NS3GATMA1 起订374个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC190N15NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2420pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT55N06D5 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT55N06D5 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT55N06D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.988nF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S4L06ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N03S4L06ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N03S4L06ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@20µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8027S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8027S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€36W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1815pF@15V

    连续漏极电流:18A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06T4 起订6个装
    ST Mosfet场效应管 STD20NF06T4 起订6个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD20NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:690pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD200N15N3GATMA1 起订335个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD200N15N3GATMA1 起订335个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":17200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD200N15N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@50A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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