采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA093N06N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：4V@34µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3900pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP33N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA093N06N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：4V@34µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3900pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIB5N65APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1417pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：930mΩ@3.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：260，"22+"：5，"23+"：3500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP16CN10NGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@50V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@53A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP33N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU10NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1370pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF33N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：18950，"22+"：950，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA093N06N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：4V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3900pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU6N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：820pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP33N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH4005SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：165W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2846pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：3.7V@1mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：3148}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
