采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHP12N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF12N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHF12N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHF12N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHP12N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIHP12N50C-E3
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功率：208W
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栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIHF12N50C-E3
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阈值电压：5V@250µA
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输入电容：1375pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIHP12N50C-E3
漏源电压：500V
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阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
连续漏极电流：12A
功率：208W
包装方式：管件
输入电容：1375pF@25V
栅极电荷：48nC@10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHF12N50C-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHP12N50C-E3
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阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：555mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOTF12N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
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栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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