品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6443-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@3A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-M-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVC3S5A51PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:262pF@20V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3462-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:785mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2017}
销售单位:个
规格型号(MPN):VEC2415-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2292,"18+":32950,"19+":2}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVC6S5A354PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8315-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":700,"17+":41164}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":22000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FW274-TL-E
工作温度:150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:37mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":19895}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1439-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1400}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":87000,"14+":5980}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8419-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@5A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":19995}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1436-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:88pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@900mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J117TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1975}
销售单位:个
规格型号(MPN):VEC2415-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":700,"17+":41164}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1445-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:111mΩ@8.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":339000,"16+":3684}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6355-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:172pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:169mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS123LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@100mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J207FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:137pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:251mΩ@650mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@15V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:122mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: