品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-M-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVC3S5A51PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:262pF@20V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2292,"18+":32950,"19+":2}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVC6S5A354PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8315-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J117TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":339000,"16+":3684}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6355-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:172pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:169mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J207FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:137pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:251mΩ@650mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":1489,"16+":75000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1337-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:172pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J117TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2502}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVATS5A304PLZT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:108W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J117TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-M-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2502}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVATS5A304PLZT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:108W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J207FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:137pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:251mΩ@650mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J207FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:137pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:251mΩ@650mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6341-M-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:59mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"24+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A140PLZT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@20V
连续漏极电流:20A€140A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6355-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:172pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:169mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A160PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7700pF@20V
连续漏极电流:15A€100A
类型:P沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A140PLZT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@20V
连续漏极电流:20A€140A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6355-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:172pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:169mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J402TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:117mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A160PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7700pF@20V
连续漏极电流:15A€100A
类型:P沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVATS5A304PLZT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:108W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5000,"24+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A140PLZT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@20V
连续漏极电流:20A€140A
类型:P沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1337-TL-W
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:3.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:172pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: