销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D120-60PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€15W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:724pF@30V
连续漏极电流:3A€8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D120-60PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€15W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:724pF@30V
连续漏极电流:3A€8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV100EPAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:616pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2,2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB266L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€268W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6800pF@30V
连续漏极电流:18A€140A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN100EPAX
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:616pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN100EPAX
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:616pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6276
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4940pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19536KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV100EPAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:616pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2,2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19505KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7920pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV100EPAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:616pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2,2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D120-60PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€15W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:724pF@30V
连续漏极电流:3A€8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19506KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12200pF@40V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D120-60PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€15W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:724pF@30V
连续漏极电流:3A€8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN100EPAX
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:616pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN100EPAX
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:616pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV100EPAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:616pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2,2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6276
工作温度:-55℃~150℃
功率:215W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4940pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D120-60PX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€15W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:724pF@30V
连续漏极电流:3A€8A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: