采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19536KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
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规格型号(MPN)：CSD19532KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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栅极电荷：57nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
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栅极电荷：62nC@10V
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输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
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功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
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输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
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规格型号(MPN)：CSD19532KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
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输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19536KTTT
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功率：375W
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类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
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功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19536KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
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输入电容：12000pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
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输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19536KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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连续漏极电流：200A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
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连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19536KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19536KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19536KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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栅极电荷：153nC@10V
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19536KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：153nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
