采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W€96.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：25.1A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W€96.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：25.1A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2V@1.54mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@11.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2V@1.54mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@11.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40N10-30_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W€96.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：25.1A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W€96.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：25.1A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W€96.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：25.1A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W€96.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：25.1A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5230，"23+"：3163}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB44N10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€146W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：43.5A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@21.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2V@1.54mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@11.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5230，"23+"：3163}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€128A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86150
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4065pF@50V
连续漏极电流：16A€60A
类型：N沟道
导通电阻：4.85mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB44N10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€146W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：43.5A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@21.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB44N10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€146W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：43.5A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@21.75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.9mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40N10-30_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
