品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUS100N02TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4C050APTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD100N20TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:5.25V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4C100BCTCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@1mA
栅极电荷:23.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1660pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.6mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1E100XNTR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8308-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.5mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N65M2
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":730000,"17+":124000,"19+":205000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC6605R-V-TR
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:13.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L01BATTL1
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":230,"22+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8697R-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:11.6mΩ@5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180P03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1730pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPC8125,LQ(S
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@500µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2580pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4C050APTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD100N20TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:5.25V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J507NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH100P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E100ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUS100N02TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L01BATTL1
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:29.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1E100XNTR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: