采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
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功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
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功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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功率：12.5W
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栅极电荷：4.2nC@10V
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输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
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功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
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功率：12.5W
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栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
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输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H21DHE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：4.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：P沟道
导通电阻：21Ω@300mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM150P04LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2783pF@20V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2193pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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