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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW015N65C，S1F
工作温度：175℃
功率：342W
阈值电压：5V@11.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4850pF@400V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@50A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT50JR22(STA1，E，S)
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT50JR22(STA1，E，S)
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8R2A06PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8R2A06PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW060N120C，S1F
工作温度：175℃
功率：170W
阈值电压：5V@4.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1530pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@18A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R3A06PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT40QR21(STA1，E，D
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
反向恢复时间：600ns
关断损耗：290µJ
集电极截止电流(Ices)：1200V
集电极电流(Ic)：2.7V@15V，40A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT50JR22(STA1，E，S)
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT50JR22(STA1，E，S)
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：100A
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW015N65C，S1F
工作温度：175℃
功率：342W
阈值电压：5V@11.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4850pF@400V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@50A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R3A06PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：5.3mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4R3A06PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3280pF@30V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@15A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8R2A06PL，S4X
工作温度：175℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1990pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW015N120C，S1F
工作温度：175℃
功率：431W
阈值电压：5V@11.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：158nC@18V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@800V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@50A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1E04PL，S1X
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@30A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：GT50JR22(STA1，E，S)
工作温度：175℃
集电极脉冲电流(Icm)：100A
集电极截止电流(Ices)：600V
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，50A
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK3R2A10PL，S4X
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
类型：N沟道
工作温度：175℃
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：管件
连续漏极电流：100A
栅极电荷：161nC@10V
输入电容：9500pF@50V
ECCN：EAR99
功率：54W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
