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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R005PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@22.5V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR6003PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.29mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：6.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN7R104NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：840mW€65W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：6.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R306PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€210W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R204PL，LQ
工作温度：175℃
功率：69W
阈值电压：2.4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@20V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW015N65C，S1F
工作温度：175℃
功率：342W
阈值电压：5V@11.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4850pF@400V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@50A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XK1R9F10QB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：184nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11500pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.92mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R204PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：1.24mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPQR3004PB，LXHQ
工作温度：175℃
功率：750W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：295nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26910pF@10V
连续漏极电流：400A
类型：N沟道
导通电阻：0.3mΩ@200A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
