采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.92mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26P3LLH6
工作温度：175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R005PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@22.5V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080KLGC11
工作温度：175℃
功率：165W
阈值电压：5.6V@5mA
栅极电荷：60nC@18V
包装方式：管件
输入电容：785pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR6003PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.6mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TKR74F04PB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：227nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14200pF@10V
连续漏极电流：250A
类型：N沟道
导通电阻：0.74mΩ@125A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2080KEGC11
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：4V@4.4mA
栅极电荷：106nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2080pF@800V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K819R，LXHF
工作温度：175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：25.8mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：260A
类型：N沟道
导通电阻：1.29mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4045DW7HRTL
工作温度：175℃
功率：93W
阈值电压：4.8V@8.89mA
栅极电荷：63nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@500V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@17A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：21，"23+"：54720，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB20N60L2TF1G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：193ns
反向恢复时间：70ns
开启延迟时间：60ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：84nC
集电极电流(Ic)：1.65V@15V，20A
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL42P4LLF6
工作温度：175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3022ALGC11
工作温度：175℃
功率：339W
阈值电压：5.6V@18.2mA
栅极电荷：133nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2208pF@500V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：28.6mΩ@36A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP180N055TUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€348W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：294nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16050pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@90A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3040KLHRC11
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：5.6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1337pF@800V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR7904PB，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6650pF@10V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.79mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP140N6F7
工作温度：175℃
功率：158W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@10V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S04M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6510pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：6.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP90N04VUG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7500pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@45A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P06SLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€56W
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2080KEGC11
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：4V@4.4mA
栅极电荷：106nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2080pF@800V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4026DRC15
工作温度：175℃
功率：176W
阈值电压：4.8V@15.4mA
栅极电荷：94nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2320pF@500V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@29A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4045DW7HRTL
工作温度：175℃
功率：93W
阈值电压：4.8V@8.89mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@500V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@17A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4045DW7HRTL
工作温度：175℃
功率：93W
阈值电压：4.8V@8.89mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@500V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@17A，18V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：6psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FS820R08A6P2LBBPSA1
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
类型：沟槽型场截止
工作温度：175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080KRC14
工作温度：175℃
功率：165W
阈值电压：5.6V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@18V
包装方式：管件
输入电容：785pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3R1P04PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4670pF@20V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@29A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080KLHRC11
工作温度：175℃
功率：165W
阈值电压：5.6V@5mA
栅极电荷：60nC@18V
包装方式：管件
输入电容：785pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N04VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.85mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
