品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP160N055TUJ-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10350pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:205W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP160N055TUJ-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10350pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:205W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:205W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8510pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP160N055TUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11250pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8510pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R5R04PB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:205W
阈值电压:3V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP160N055TUJ-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10350pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8510pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8510pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: