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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR8504PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR8504PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR8504PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR8504PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPWR8004PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：1W€170W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@20V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：0.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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