品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8004PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8004PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8004PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8004PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0104N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR8504PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.85mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0104N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0104N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8004PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0104N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0104N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
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包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0104N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8004PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0104N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8004PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8004PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR8504PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.85mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0104N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8004PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0104N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8004PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR8504PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.85mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0104N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR8504PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.85mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8004PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPWR8004PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR8504PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:1W€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@20V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.85mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0104N3-G
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:3Ω@1A,10V
功率:1W
类型:N沟道
连续漏极电流:350mA
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR8504PL,L1Q
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:150A
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:9600pF@20V
工作温度:175℃
功率:1W€170W
导通电阻:0.85mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0104N3-G
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
导通电阻:3Ω@1A,10V
功率:1W
类型:N沟道
连续漏极电流:350mA
阈值电压:2.4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: