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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLH5034TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.5V@150µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4730pF@25V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：43A€268A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLH5034TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.5V@150µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4730pF@25V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLH5034TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.5V@150µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4730pF@25V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLH5034TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.5V@150µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4730pF@25V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：43A€268A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：43A€268A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：43A€268A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：43A€268A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：43A€268A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：43A€268A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：43A€268A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：43A€268A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：43A€268A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：43A€268A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C420NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€150W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@20V
连续漏极电流：43A€268A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS415ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4825pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：16.1mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA120N04S5N014AUMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：3.4V@60μA
栅极电荷：82nC@10V
输入电容：4.828nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4mΩ@60A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
