采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40014EM_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15525pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ402E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13500pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ402E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13500pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：275nC@10V
输入电容：15.78nF@20V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：75nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：75nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：75nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：20，"21+"：14503，"22+"：481913，"23+"：54239}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA200N04S5N010AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ402E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13500pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA200N04S5N010AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK200F04N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14920pF@10V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ100E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14780pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18510KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：75nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：11400pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C430NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA200N04S5N010AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3.4V@100µA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：20，"21+"：14503，"22+"：481913，"23+"：54239}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUA200N04S5N010AUMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：3.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7650pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ402E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13500pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R7-40YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：194W
阈值电压：2.05V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7966pF@20V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
