品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40014M-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:275nC@10V
输入电容:15.78nF@20V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40014M-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:275nC@10V
输入电容:15.78nF@20V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40014M-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:275nC@10V
输入电容:15.78nF@20V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40014M-GE3
栅极电荷:275nC@10V
阈值电压:2.4V@250μA
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:15.78nF@20V
功率:375W
导通电阻:990mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40014M-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:275nC@10V
输入电容:15.78nF@20V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:32nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.3nF@20V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
反向传输电容:72pF@20V
导通电阻:1.2mΩ@10V,50A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C430NLAFT1G
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
输入电容:4.3nF@20V
栅极电荷:32nC@4.5V
反向传输电容:72pF@20V
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:2V@250μA
导通电阻:1.2mΩ@10V,50A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-40YLDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:194W
阈值电压:2.05V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.966nF@20V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: