品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S100AAFRATL
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S100AAFRATL
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S100AAFRATL
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD100N19TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD100N19TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S100AAFRATL
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
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连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD100N19TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RCD100N19TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S100AAFRATL
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S100AAFRATL
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S100AAFRATL
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S100AAFRATL
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S100AAFRATL
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S100AAFRATL
工作温度:150℃
功率:85W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@5A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3S075CNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:52W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:1.1nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:336mΩ@3.8A,10V
漏源电压:190V
包装清单:商品主体 * 1
库存: