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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB452DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2003A
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB452DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB452DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S100AAFRATL
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S100AAFRATL
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB452DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S100AAFRATL
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB452DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N19TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2003A
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2003A
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N19TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S100AAFRATL
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2003A
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N19TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB452DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N19TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S100AAFRATL
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S100AAFRATL
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB452DK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€13W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
