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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2003A
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G2003A
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
漏源电压：190V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G2003A
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
漏源电压：190V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
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规格型号(MPN)：G2003A
功率：1.8W
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连续漏极电流：3A
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漏源电压：190V
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规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
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功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
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功率：52W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
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规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
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功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
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规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
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功率：52W
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输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
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导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
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连续漏极电流：7.5A
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规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
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功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
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规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：G2003A
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2003A
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XM2N200
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：560mΩ@4.5V，1A
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
类型：1个N沟道
输入电容：1.1nF@25V
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
栅极电荷：30nC@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：7.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XM2N200
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：560mΩ@4.5V，1A
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
