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    INFINEON Mosfet场效应管 BSS138NH6327XTSA2 起订11个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS138NH6327XTSA2 起订11个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1.4V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@230mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKMB,315 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKMB,315 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKMB,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 2N7008-G 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 2N7008-G 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7008-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7 起订95个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7 起订95个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN26D0UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14.1pF@15V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKVL 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKVL 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKMB,315 起订3154个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKMB,315 起订3154个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKMB,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DW-7-F 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DW-7-F 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS138NH6327XTSA2 起订42个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS138NH6327XTSA2 起订42个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1.4V@26µA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@230mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBK,215 起订38个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBK,215 起订38个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBK,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€1.14W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWQ-7-F 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWQ-7-F 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWQ-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKMB,315 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKMB,315 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKMB,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW€2.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKM,315 起订36个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKM,315 起订36个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKM,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWQ-13-F 起订34个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWQ-13-F 起订34个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWQ-13-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002WH6327XTSA1 起订30000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002WH6327XTSA1 起订30000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@26µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@230mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS138NH6327XTSA2 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS138NH6327XTSA2 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138NH6327XTSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1.4V@26µA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@230mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS159NH6327XTSA2 起订13个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS159NH6327XTSA2 起订13个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS159NH6327XTSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2.4V@26µA

    栅极电荷:1.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@160mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN26D0UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14.1pF@15V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2110A 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2110A 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2110A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@375mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DW-7-F 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DW-7-F 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7 起订1530000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UT-7 起订1530000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN26D0UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14.1pF@15V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 VN1206L-G 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 VN1206L-G 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN1206L-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:

    输入电容:125pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 VN2222LL-G 起订5个装
    Microchip Mosfet场效应管 VN2222LL-G 起订5个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN2222LL-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002WH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002WH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@26µA

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@230mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002WH6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002WH6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@26µA

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@230mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002WH6327XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SN7002WH6327XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SN7002WH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@26µA

    栅极电荷:1.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@230mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS159N H6327 起订16个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS159N H6327 起订16个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS159N H6327

    功率:360mW

    阈值电压:2.4V@26μA

    连续漏极电流:230mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@10V,160mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2110A 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVP2110A 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVP2110A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:100pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@375mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BS250P 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 BS250P 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS250P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 BS250P 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 BS250P 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BS250P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:3.5V@1mA

    包装方式:散装

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UFB4-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN26D0UFB4-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN26D0UFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14.1pF@15V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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