品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.95W€10W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL6N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@16V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3420
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6068LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.12W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL6N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@16V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R900P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@110µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB6NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:13.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF600N65S3R0L-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:4.5V@120µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD9N40M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2040U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:7.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:667pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":827}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R660CFDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:660mΩ@2.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@80µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:363pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7308DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD06N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3.8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G6N02L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.71W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA037N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@40V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:36.5mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:31.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: