采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3040KLHRC11
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：5.6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1337pF@800V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1910，"23+"：84930，"MI+"：1800}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R040M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.2V@10mA
栅极电荷：39nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1620nF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：54.4mΩ@19.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI55NF03L
工作温度：-60℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1265pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W€53W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1016pF@30V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3040KLHRC11
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：5.6V@10mA
栅极电荷：107nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1337pF@800V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：900，"22+"：88398，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF55N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8050
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：3V@750µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22610pF@15V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@55A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3040KRC14
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：5.6V@10mA
栅极电荷：107nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1337pF@800V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP55NF06L
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：1.7V@250µA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：900，"22+"：88398，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF55N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1510pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@27.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3040KRC14
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：5.6V@10mA
栅极电荷：107nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1337pF@800V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1870pF@325V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6668TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7176，"22+"：9457}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6668TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP55N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：155W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R0-25MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：11.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@12.5V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：8.65mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：46，"22+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7219-55A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：114W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2108pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44VPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1812pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R040M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.2V@10mA
栅极电荷：39nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1620nF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：54.4mΩ@19.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6668TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STI55NF03L
工作温度：-60℃~175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1265pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@27.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
