品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3040KLHRC11
工作温度:175℃
功率:262W
阈值电压:5.6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1337pF@800V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1910,"23+":84930,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.3V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@325V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R040M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.2V@10mA
栅极电荷:39nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1620nF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:54.4mΩ@19.3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.3V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@325V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.3V@8mA
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@325V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP55N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:155W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STI55NF03L
工作温度:-60℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1265pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3040KLHRC11
工作温度:175℃
功率:262W
阈值电压:5.6V@10mA
栅极电荷:107nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1337pF@800V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP55NF06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:1.7V@250µA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3040KRC14
工作温度:175℃
功率:262W
阈值电压:5.6V@10mA
栅极电荷:107nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1337pF@800V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.3V@8mA
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@325V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP55NF06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:1.7V@250µA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF55N06
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3040KRC14
工作温度:175℃
功率:262W
阈值电压:5.6V@10mA
栅极电荷:107nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1337pF@800V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.3V@8mA
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@325V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP55N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:155W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44VPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1812pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@31A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R040M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.2V@10mA
栅极电荷:39nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1620nF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:54.4mΩ@19.3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STI55NF03L
工作温度:-60℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1265pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@27.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3040KLHRC11
工作温度:175℃
功率:262W
阈值电压:5.6V@10mA
栅极电荷:107nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1337pF@800V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3040KLHRC11
工作温度:175℃
功率:262W
阈值电压:5.6V@10mA
栅极电荷:107nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1337pF@800V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6055VNZ4C13
工作温度:150℃
功率:543W
阈值电压:6.5V@1.5mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3700pF@100V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@16A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R040M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.2V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1620nF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:54.4mΩ@19.3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:4.3V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1870pF@325V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3040KLHRC11
工作温度:175℃
功率:262W
阈值电压:5.6V@10mA
栅极电荷:107nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1337pF@800V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44VPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1812pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@31A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP55NF06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:1.7V@250µA
栅极电荷:37nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA120R040M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.2V@8.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1620nF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:54.4mΩ@19.3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: