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    行业应用: 工业
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    当前匹配商品:600+
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    IXYS Mosfet场效应管 IXTP32P20T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP32P20T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP32P20T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:185nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@16A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2086pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-30YLC,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-30YLC,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN013-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:26W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:521pF@15V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ456EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ456EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ456EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3342pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":3175}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD32N06-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€93.75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8DN6LF6AG 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STL8DN6LF6AG 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8DN6LF6AG

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:32A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@9.6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2086pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ300N15NS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ300N15NS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4.6V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@75V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@16A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN32P60P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN32P60P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTN32P60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:196nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11100pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:350mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2086pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX32N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1250W

    阈值电压:6.5V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9940pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4182EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4182EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4182EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@15V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ402EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2286pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-30YLC,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-30YLC,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN013-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:26W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:521pF@15V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R075CFD7AXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW65R075CFD7AXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW65R075CFD7AXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:171W

    阈值电压:4.5V@820µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3288pF@400V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M24-60EX 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M24-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:12.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1469pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7422G 起订15个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7422G 起订15个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7422G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@15V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-30BL,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-30BL,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:552pF@15V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-30BL,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-30BL,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:10.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:552pF@15V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ460AEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ460AEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ460AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4795pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2568pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:97mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3411TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3411TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3411TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0075120K-A 起订1个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0075120K-A 起订1个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0075120K-A

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3.6V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1390pF@1000V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ300N15NS5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ300N15NS5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":6052,"24+":8148}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4.6V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@75V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@16A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ469EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@40V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ479EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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