品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP32P20T
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2086pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:26W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ456EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3342pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@9.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":3175}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD32N06-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€93.75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1725pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8DN6LF6AG
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@9.6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2086pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.6V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@75V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN32P60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:196nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11100pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2086pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX32N100Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1250W
阈值电压:6.5V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9940pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4182EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ402EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2286pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:26W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:521pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R075CFD7AXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4.5V@820µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3288pF@400V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@16.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M24-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:12.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1469pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7422G
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN017-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:552pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN017-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:552pF@15V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ460AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4795pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2568pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:97mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3411TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1960pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0075120K-A
工作温度:-40℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3.6V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1390pF@1000V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6052,"24+":8148}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.6V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@75V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ469EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@40V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10.2A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ479EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:33mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: