包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTP32P05T

工作温度：-55℃~150℃

功率：83W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：46nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：1975pF@25V

连续漏极电流：32A

类型：P沟道

导通电阻：39mΩ@500mA，10V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPW32N50C3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：284W

阈值电压：2.1V

栅极电荷：170nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：32A

类型：MOSFET

导通电阻：110mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPW32N50C3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：284W

阈值电压：2.1V

栅极电荷：170nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：32A

类型：MOSFET

导通电阻：110mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTP32P05T

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：4.5V

栅极电荷：46nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：32A

类型：MOSFET

导通电阻：39mΩ

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPW32N50C3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：284W

阈值电压：2.1V

栅极电荷：170nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：32A

类型：MOSFET

导通电阻：110mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFR48N60P

工作温度：-55℃~150℃

功率：300W

阈值电压：5V@8mA

栅极电荷：150nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：8860pF@25V

连续漏极电流：32A

类型：N沟道

导通电阻：150mΩ@24A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFR48N60P

工作温度：-55℃~150℃

功率：300W

阈值电压：5V@8mA

栅极电荷：150nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：8860pF@25V

连续漏极电流：32A

类型：N沟道

导通电阻：150mΩ@24A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTP32P05T

工作温度：-55℃~150℃

功率：83W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：46nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：1975pF@25V

连续漏极电流：32A

类型：P沟道

导通电阻：39mΩ@500mA，10V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTP32P05T

工作温度：-55℃~150℃

功率：83W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：46nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：1975pF@25V

连续漏极电流：32A

类型：P沟道

导通电阻：39mΩ@500mA，10V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SPW32N50C3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：284W

阈值电压：2.1V

栅极电荷：170nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：32A

类型：MOSFET

导通电阻：110mΩ

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFR48N60P

工作温度：-55℃~150℃

功率：300W

阈值电压：5V@8mA

栅极电荷：150nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：8860pF@25V

连续漏极电流：32A

类型：N沟道

导通电阻：150mΩ@24A，10V

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1