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    连续漏极电流
    15A
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 15A
    当前匹配商品:2200+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订2500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ 起订2500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNTL1 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R130C7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL65R130C7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL65R130C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:102W

    阈值电压:4V@440µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@400V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD15P10PGBTMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD15P10PGBTMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD15P10PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:2.1V@1.54mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1280pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:240mΩ@10.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMD8260L 起订181个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):181psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8260L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:5245pF@30V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB15N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB15N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:180W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1350pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:38nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87331Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V€1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:518pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R155CFD7XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP65R155CFD7XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP65R155CFD7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:77W

    阈值电压:4.5V@320µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1283pF@400V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订18个装
    UMW Mosfet场效应管 15N10 起订18个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):15N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3D 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3D 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87333Q3D

    工作温度:125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:662pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:14.3mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3025LDV-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3025LDV-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3025LDV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V€1188pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1 起订1069个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0925NDATMA1 起订1069个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":2125}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1157pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015ANX

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7425TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7425TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7425TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7980pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.2mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNFRATL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L150SNFRATL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L150SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA64EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA600N25NM3SXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA600N25NM3SXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA600N25NM3SXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@89µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2300pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB16N90K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB16N90K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB16N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:29.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1027pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 N0400P-ZK-E1-AY 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0400P-ZK-E1-AY 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY

    工作温度:150℃

    功率:1W€25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19538Q3A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19538Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€23W

    阈值电压:3.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:454pF@50V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3DT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3DT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87333Q3DT

    工作温度:125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:662pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:14.3mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG17N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG17N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG17N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1260pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB17N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB17N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB17N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1260pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7478DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7478DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB90R340C3ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB90R340C3ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB90R340C3ATMA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:3.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@9.2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y72-80E,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y72-80E,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y72-80E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:7.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:898pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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