首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订8个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订8个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT130N10D3

    阈值电压:4V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:52A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP52N20 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP52N20 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP52N20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@26A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R045M1XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R045M1XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMW120R045M1XKSA1

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:228W

    阈值电压:5.7V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2130pF@800V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y12-40E,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y12-40E,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y12-40E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:9.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1423pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R045CFD7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R045CFD7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R045CFD7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270W

    阈值电压:4.5V@900µA

    栅极电荷:79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3194pF@400V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R045M1XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AIMW120R045M1XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AIMW120R045M1XKSA1

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:228W

    阈值电压:5.7V@10mA

    栅极电荷:57nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2130pF@800V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R055CFD7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R055CFD7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R055CFD7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329W

    阈值电压:4.5V@760µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2724pF@400V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@15.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R045M1XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R045M1XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZ120R045M1XKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:228W

    阈值电压:5.7V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@15V

    包装方式:托盘

    输入电容:1900pF@800V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R045M1XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R045M1XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZ120R045M1XKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:228W

    阈值电压:5.7V@10mA

    栅极电荷:52nC@15V

    包装方式:托盘

    输入电容:1900pF@800V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R045M1XKSA1 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R045M1XKSA1 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZ120R045M1XKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:228W

    阈值电压:5.7V@10mA

    栅极电荷:52nC@15V

    包装方式:托盘

    输入电容:1900pF@800V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH070N60E 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH070N60E 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH070N60E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:481W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:166nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4925pF@380V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@26A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH52N65X 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH52N65X 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH52N65X

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4350pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@26A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW56N60M2-4 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW56N60M2-4 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW56N60M2-4

    工作温度:150℃

    功率:350W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3750pF@100V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@26A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT130N10D3

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:52A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT130N10D3

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:52A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R045CFD7XTMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R045CFD7XTMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R045CFD7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270W

    阈值电压:4.5V@900µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3194pF@400V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@18A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH52N30P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH52N30P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH52N30P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3490pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@500mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT130N10D3 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT130N10D3

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:52A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW120R045M1XKSA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW120R045M1XKSA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:228W

    阈值电压:5.7V@10mA

    栅极电荷:52nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@800V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW52NK25Z 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW52NK25Z 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW52NK25Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@150µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4850pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@26A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW120R045M1XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW120R045M1XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMW120R045M1XKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:228W

    阈值电压:5.7V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@800V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@20A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB52N20TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB52N20TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB52N20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@26A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW56N60M2 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STW56N60M2 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW56N60M2

    工作温度:150℃

    功率:350W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3750pF@100V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@26A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y12-40EX 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y12-40EX 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y12-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1039pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧