采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ459EP-T2_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4586pF@30V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ459EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4586pF@30V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y12-40E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：9.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1423pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@900µA
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R055CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4.5V@760µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2724pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@15.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ459EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4586pF@30V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ459EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4586pF@30V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ459EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4586pF@30V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ459EP-T2_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4586pF@30V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y12-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1039pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y12-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1039pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ459EP-T2_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4586pF@30V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ459EP-T2_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4586pF@30V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ459EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4586pF@30V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R045CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：270W
阈值电压：4.5V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3194pF@400V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@18A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB52N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@26A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT130N10D3
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：52A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.6mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC220N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@137µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3680pF@100V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@52A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ459EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4586pF@30V
连续漏极电流：52A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
