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    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    漏源电压: 30V
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 22nC@10V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7696

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@15V

    连续漏极电流:12A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7696

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@15V

    连续漏极电流:12A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696-L701 起订1406个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696-L701 起订1406个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7696-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@15V

    连续漏极电流:12A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14BDP-T1-GE3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14BDP-T1-GE3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€36W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:21A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7534

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€23W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1037pF@15V

    连续漏极电流:20A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7534

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€23W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1037pF@15V

    连续漏极电流:20A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订2000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订2000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7534

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€23W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1037pF@15V

    连续漏极电流:20A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696-L701 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696-L701 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7696-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@15V

    连续漏极电流:12A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7534

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€23W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1037pF@15V

    连续漏极电流:20A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YL,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YL,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:51W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1270pF@12V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7534

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€23W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1037pF@15V

    连续漏极电流:20A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696-L701 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696-L701 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7696-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@15V

    连续漏极电流:12A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7534

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€23W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1037pF@15V

    连续漏极电流:20A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7694 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7694 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7694

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€27W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@15V

    连续漏极电流:13.2A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YL,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YL,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:51W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1270pF@12V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7694 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7694 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7694

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€27W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@15V

    连续漏极电流:13.2A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€36W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:21A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7630 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7630 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7534

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€23W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1037pF@15V

    连续漏极电流:20A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7534 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7534

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€23W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1037pF@15V

    连续漏极电流:20A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YL,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-30YL,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:51W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1270pF@12V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14BDP-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14BDP-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€36W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:21A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14BDP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA14BDP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA14BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€36W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:917pF@15V

    连续漏极电流:21A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.38mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696-L701 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696-L701 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7696-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@15V

    连续漏极电流:12A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订5000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订5000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6594 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6594 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6594

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1037pF@15V

    连续漏极电流:22A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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