采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5402T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4501NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@24V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：460870，"09+"：1480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@24V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4501NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@24V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5402T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：460870，"09+"：1480}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@24V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：24036}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4800NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2593，"20+"：2923}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5402T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2593，"20+"：2923}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4166NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4800NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：462pF@24V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4800NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
