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    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B04N8TA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B04N8TA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3B04N8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:23.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2480pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B04N8TA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3B04N8TA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3B04N8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:23.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2480pF@15V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E080BNTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E080BNTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E080BNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.6mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110BNTR 起订13个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110BNTR 起订13个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E110BNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E110AJTB 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E110AJTB 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E110AJTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:11A€24A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6400 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6400

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-13 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-13 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E110GNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:504pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E080BNTB 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E080BNTB 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E080BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLTS6342TRPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLTS6342TRPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLTS6342TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.1V@10µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@25V

    连续漏极电流:8.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@8.3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E180GNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E180GNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E180GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E070BNTR 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E070BNTR 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E070BNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:28.6mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E130MNTB1 起订9个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E130MNTB1 起订9个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E130MNTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E160ADTB 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E160ADTB 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E160ADTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E080BNTR 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E080BNTR 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E080BNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.6mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3025LFG-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3025LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:605pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E130MNTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E130MNTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E130MNTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E110AJTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E110AJTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E110AJTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:11A€24A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@11A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E130MNTB1 起订30个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E130MNTB1 起订30个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E130MNTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E100AJTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS3E135BNGZETB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS3E135BNGZETB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3E135BNGZETB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.6mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E080BNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E080BNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E080BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E100AJTCR 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E100AJTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1460pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFTS8342TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFTS8342TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFTS8342TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.35V@25µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@25V

    连续漏极电流:8.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订782个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订782个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":127500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6402A 起订11个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6402A 起订11个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6402A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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