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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E100BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E110AJTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：11A€24A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E070BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28.6mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130MNTB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E160ADTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130MNTB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E110AJTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：11A€24A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130MNTB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E160ADTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E160ADTB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E070GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：21.4mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E110AJTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：11A€24A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E110AJTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：11A€24A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080GNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K376R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
