采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：1332，"07+"：14052，"08+"：205778，"10+"：43996，"MI+"：6900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4706NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：1332，"07+"：14052，"08+"：205778，"10+"：43996，"MI+"：6900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4706NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH108，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
