采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1000，"21+"：1600，"9999"：711}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R0-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1262pF@12V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R0-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1262pF@12V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT77N60JC3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：3.9V@5.4mA
栅极电荷：640nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@60A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP77N06S212AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：4V@93µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@38A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1000，"21+"：1600，"9999"：711}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R0-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1262pF@12V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP77N06S212AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：4V@93µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@38A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP77N06S212AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：4V@93µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@38A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：23950，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB77N06S212ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：4V@93µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：11.7mΩ@38A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6510-75C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5251pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF041N06BL1
工作温度：-55℃~175℃
功率：44.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5690pF@30V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@77A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4291}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6510-75C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5251pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：10.4mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP77N06S212AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：4V@93µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@38A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R0-40BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1262pF@12V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R024CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：320W
阈值电压：4.5V@2.12mA
栅极电荷：183nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7268pF@400V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@42.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1551
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：283W
阈值电压：2.7V@2mA
栅极电荷：99nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@700V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@30A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1000，"21+"：1600，"9999"：711}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R0-40PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：86W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1262pF@12V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
