采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N95K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@19A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R045C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ65R045C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFR44N50Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：6.5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：154mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R045C7FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：50.5A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R045C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R045C7FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：50.5A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N95K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@19A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：50.5A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW65R045C7FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA62DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：51.4A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R045C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1.25mA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1956，"15+"：3345，"19+"：500，"22+"：52，"9999"：383}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R045C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ65R045C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R045C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA62DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：51.4A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：50.5A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：50.5A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA62DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：51.4A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N95K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@19A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R045C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R045C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：50.5A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R045C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@1.25mA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4340pF@400V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@24.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
